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BSS119N H6327 /MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
BSS119N H6327的规格信息
BSS119N H6327的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:190 mA

Rds On-漏源导通电阻:2.406 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:600 pC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:2.9 mm

系列:BSS119

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:1.3 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:350 mS

下降时间:18.8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:3.3 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:7 ns

典型接通延迟时间:2.7 ns

零件号别名:BSS119NH6327XTSA1 SP000870644

单位重量:8 mg

供应商BSS119N H6327
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深圳市威雅利发展有限公司BSS119N H6327华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司BSS119N H6327深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司BSS119N H6327深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司BSS119N H6327深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
19147724283，19147721680		王小姐，刘先生Email:345720093@qq.com询价
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深圳市凌特半导体科技有限公司BSS119N H6327广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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深圳市斌腾达科技有限公司BSS119N H6327深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市安富世纪电子有限公司BSS119N H6327深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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